TVS

TVS瞬态抑制二极管。

TSS

特点
1. 结构小巧节省空间； 2. 适合表面贴装型应用 ；3. 符合RoHS与无卤要求
 

ESD

特点
1. 结构小巧节省空间 。2. 适合表面贴装型应用 。3. 响应时间快速。4. 优异的限压抑制电压能力 

Si MOS

封装类型齐全，超低RDS ON，雪崩能量强。

SiC MOS/SBD

SiC MOS
为客户提供优质的碳化硅器件，丰富的产品规格和封装形式，满足不同使用需求。




SiC SBD

GaN HEMT

 Dmode-GaN器件基于致能高质量的外延和器件结构设计，器件具有高耐压，高可靠性和低动态电阻等优点。