GaN HEMT 2024-05-06

    GaN级联结构，兼具Si MOS器件易于驱动（与传统Si器件驱动兼容度高）、栅压驱动范围宽（±20V）、 栅极可靠性高等优势和GaN器件高耐压、低导通电阻、高开关速度等优势。